Методом искрового плазменного спекания получены материалы на основе карбида кремния и системы SiC–20B4C–1C–0,5B. Методами термического анализа, электронной микроскопии, рентгенофазового анализа и при испытаниях ...
Рассмотрено получение и идентификация особенностей микроструктуры и степени текстурирования термоэлектрического материала Bi2Te2,7Se0,3, легированного диспрозием. Текстурированные соединения Bi2-xDyxTe2,7Se0,3 ...
