Представлены результаты исследования методами механолюминесценции (МЛ) и акустической эмиссии (АЭ) отклика керамических материалов ZnS и ZnSe на ударное повреждение поверхности. Эксперимент имитирует процесс пылевой эрозии оптических элементов из этих материалов, устанавливаемых на скоростных мобильных носителях. Сопоставление временных серий излучения света и звука показало, что МЛ проявляет два пика приблизительно через 50 - 100 и 150 - 200 мкс после удара, тогда как генерация АЭ происходит с единственным максимумом в области 200 мкс. Результат объяснен пластической деформацией материала на первом этапе разрушения и последующим образованием микротрещин.
Щербаков И. П., Дунаев А. А., Кадомцев А. Г., Чмель А. Е. Ударное разрушение керамики ZnSe // ФТТ. 2016. Т. 58. С. 1969 ? 1972.
Jilbert G. H., Field J. E. Synergistic effects of rain and sand erosion // Wear. 2000. V. 243. P. 6 ? 17.
Klein C. A., Benedetto B. di, Pappis J. ZnS, ZnSe, and ZnS/ZnSe windows: Their impact on FLIR system performance // Opt. Eng. 1986. V. 25. P. 519 ? 531.
Hasan W. Rain erosion resistance coating for ZnS domes // Window and Dome Technologies and Materials II / Ed. P. Klocek. Proc. SPIE 1326. San Diego, 1990. P. 157 ? 165. doi:10.1117/12.22495.
Chang C. S., He J. L., Lin Z. P. The grain size effect on the empirically determined erosion resistance of CVD-ZnS // Wear. 2003. V. 255. P. 115 ? 120.
Rozenburg K. G., Urruti E. H. Polycrystalline chalcogenide ceramic material: Pat. USA 2013/0271610 A1.
Бредихин С. И., Шмурак С. З. Люминесценция и электрические характеристики пластически деформируемых кристаллов ZnS // ЖЭТФ. 1977. Т. 73. С. 1460 ? 1469.
Бредихин С. И., Шмурак С. З. Взаимодействие заряженных дислокаций с центрами люминесценции в кристаллах ZnS // ЖЭТФ. 1979. Т. 76. С. 1027 ? 1037.
Tiwari R., Dubey М. V., Ramrakhiani M., Chandra B. P. Fracto-mechanoluminescence induced by impulsive deformation of II-VI semiconductors // Luminescence. 2015. V. 6. . 883.
Thaker S., Shukla V. K., Baghel R. N. Fractomechan-oluminescence Produced During Impulsive Deformation of II-VI Semiconductor // J. Pure Appl. & Ind. Phys. 2015. V. 30. P. 883 ? 890.
Статью можно приобрести
в электронном виде!
PDF формат
500 руб
УДК 666:620.17
Тип статьи:
Наука - керамическому производству
Оформить заявку