Защита поверхности кремниевых подложек на основе легкоплавкого стекла для изготовления кремниевых транзисторов

Д-р техн. наук Т. А. ИСМАИЛОВ, д-р техн. наук Т. Э. САРКАРОВ, канд. техн. наук Б. А. ШАНГЕРЕЕВА (e-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.), канд. техн. наук А. Р. ШАХМАЕВА; ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет» (Россия, Дагестан, г. Махачкала)

Курносов А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. шк., 1980. 327 с. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высш. шк., 1984. 287 с. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высш. шк., 1986. 367 с. Пат. 2008129513/28 РФ. МПК H01L 21/3105. Метод защиты поверхности кристаллов р-n-переходов на основе легкоплавкого стекла / Т. А. Исмаилов, Б. А. Шангереева, А. Р. Шахмаева; ? 2370852; заявл. 17.07.08; опубл. 20.10.09 // Бюл. 2009. ? 29. 3 с. Пат. 2013100522/28 РФ. МПК H01L 21/316. Метод защиты поверхности кристаллов р-n-переходов на основе окиси ванадия / Т. А. Исмаилов, Б. А. Шангереева, Ю. П. Шангереев, А. И. Муртазалиев; ? 2534438; заявл. 20.07.14; опубл. 27.11.14 // Бюл. 2014. ? 33. 4 с.