Рассмотрены физико-химические процессы, происходящие в структуре щелочного стекла и на границе раздела кремний–стекло при анодном соединении стеклянных и кремниевых пластин. Соединение данных материалов в настоящее время широко используется в промышленности при создании чувствительных элементов микромеханических датчиков, таких как датчики давления, ускорения
и пр. Показано, что для получения качественного соединения возможно варьирование как параметрами технологического процесса (например, величиной подаваемого напряжения), так и конструктивными особенностями соединяемых деталей (например, толщиной стеклянных пластин)
Пауткин В. Е. Применение щелочного стекла в конст-рукциях микромеханических датчиков // Стекло и
керамика. 2019. ? 4. С. 28 ? 31.
?Pautkin V. E. Use of Alkaline Glass in Micromecha-nical Sensor Structures // Glass Ceram. 2019. V. 76.
No. 3?4. P. 142 ? 144.?
Пауткин В. Е. Физико-химические основы анодного соединения элементов МЭМС // Измерение. Мони-торинг. Управление. Контроль. 2019. ? 2(28).
С. 94 ? 98. DOI: 10.21685/2307-5538-2019-2-11.
Артамонова М. В., Асланова М. С., Бужинский И. М. и др. Химическая технология стекла и ситал-лов / под ред. Н. М. Павлушкина. М.: Стройиздат, 1983. 432 с.
Эйтель В. Физическая химия силикатов / пер. с англ. под ред. Н. Н. Курцевой и др. М.: Изд-во иностран-ной литературы, 1962. 1055 с. (Eitel W. The Physical Chemistry of the Silicates. The University of Chicago Press, 1954).
Козин С. А., Федулов А. В., Пауткин В. Е. Разработ-ка технологии и специального оборудования для
соединения кремния со стеклом в поле высокого напряжения // Датчики и системы. 2005. ? 9. С. 46?47.
Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микро-технологии / пер. с англ. под. ред. А. В. Шальнова. М.: Мир, 1985. 442 с. (Brodie I. and Muray J. J.
The Physics of Microfabrication. SRI International. Plenum Press, 1982).
Мазурин О. В., Тотеш А. С., Стрельцина М. В., Швайко-Швайковская Т. П. Тепловое расширение стекла. Л.: Наука, 1969. 216 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн. Кн. 1: пер. с англ. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: Мир, 1984. 456 с. (Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. A Wiley-Interscience Publication, 1981).
Статью можно приобрести
в электронном виде!
PDF формат
700 руб
УДК 666.11.01:53.096
Тип статьи:
Без рубрики
Оформить заявку