Для аморфных наноразмерных тонких пленок (InSe)20(GaSe)80 и (InSe)50(GaSe)50 выполнены фазовый и элементный анализ, а также проведены исследования морфологии поверхности. Исследования оптического пропускания тонких пленок позволили установить, что для данных составов поглощение соответствует непрямым разрешенным переходам в соответствии с моделью Тауца, при этом значения оптической ширины запрещенной зоны равны Eg = 1,26 эВ для (InSe)20(GaSe)80 и 1,07 эВ – для пленок (InSe)50(GaSe)50.
Сергей Александрович Козюхин – д-р хим. наук, профессор, гл. науч. сотрудник, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Дмитрий Валерьевич Пепеляев – мл. науч. сотрудник, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия
Мария Александровна Теплоногова – мл. науч. сотрудник, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия
1. Yang Z., Jie W., Mak C. H., et al. Wafer-scale synthesis of high-quality semiconducting two-dimensional layered InSe with broadband photoresponse // ACS Nano. 2017. V. 11. P. 4225 – 4236.
2. Lei S., Ge L., Najmaei S., et al. Evolutionof the electronic band structure and efficient photo-detection in atomic layers of InSe // ACS Nano. 2014. V. 8. P. 1263 – 1272.
3. Susarla S., Kutana A., Hachtel J. A., et al. Quaternary 2D transition metal dichalcogenides (TMDS) with tunable bandgap // Adv. Mater. 2017. V. 29. P. 1702457.
4. Zhou J., Shi J., Zeng Q., et al. InSe monolayer: Synthesis, structure and ultra-high second-harmonic generation // 2D Mater. 2018. V. 5. P. 025019.
5. Zhou X., Cheng J., Zhou Y., et al. Strong second-harmonic generation in atomic layered GaSe // J. Am. Chem. Soc. 2015. V. 137. P. 7994 – 7997.
6. Balakrishnan N., Kudrynskyi Z. R., Smith E. F., et al. Engineering p – n junctions and bandgap tuning of InSe nanolayers by controlled oxidation // 2D Mater. 2017. V. 4. P. 025043.
7. Li Y., Wang T., Wu M., et al. Ultrasensitive tunability of the direct bandgap of 2D InSe flakes via strain engineering // 2D Mater. 2018. V. 5. P. 021002.
8. Deiseroth H. J., Muller D., Hahn H. Strukturuntersuchungen an InGaSe2 und InGaTe2 // Z. Anorg. Allg. Chem. 1985. V. 525, No. 6. P. 163 – 172.
9. Mobarak M., Berger H., Lorusso G. F., et al. Тhe growth and properties of single crystals of a ternary chalcogenide semiconductor // J. Phys. D: Appl. Phys. 1997. V. 30. P. 2509.
10. Mobarak M. Electrical and thermoelectric power measurements of GaInSe2 single crystals // Physica B. 2009. V. 404, No. 8 – 11. P. 1259.
11. Szymanski D., Barrick J. C., Giessen B. C. The crystal structure of a metastable binary phase related to ?-Ga: ??-Ga(In) // Journal of Solid State Chemistry. 1979. V. 30, No. 1. P. 55 – 59.
12. Qasrawi A. F. Refractive index, band gap and oscillator parameters of amorphous GaSe thin films // Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography. 2005. V. 40, No. 6. P. 610 – 614.
13. Ohyama M., Fujita Y. Electrical and optical properties in sputtered GaSe thin films // Surface and Coatings Technology. 2003. V. 169. P. 620 – 623.
14. Di Giulio M, Micocci G., Siciliano P., et al. Photoelectronic and optical properties of amorphous gallium?selenide thin films // Journal of applied physics. 1987. V. 62, No. 10. P. 4231 – 4235.
15.Thmilsevan M., Premanzeer K., Mangalaraj D., et al. Influence of density of states on optical properties of GaSe thin film // Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography. 2004. V. 39, No. 2. P. 137 – 142.
16. Mondal B. K., Mostaque S. K., Islam M. A., et al. Stress-induced phase-alteration in solution processed indium selenide thin films during annealing // RSC advances. 2021. V. 11, No. 23. P. 13751 – 13762.
17. Lafi O. A., Imran M. M. A., Ma’rouf K. A. Chemical bond approach to glass transition temperature and crystallization activation energy in Se90In10?xSnx (2 ? x ? 8) semiconducting glasses // Materials Chemistry and Physics. 2008. V. 108, No. 1. P. 109 – 114.
18. Гуревич Л. В., Караченцев Г. В., Кондратьев В. Н. и др. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. М.: Наука, 1974. С. 351.
19. Burley R. A. The infrared spectrum and structure of selenium dioxide // Mat. Res. Bull. 1968. V. 3. P. 735 – 744.
20. Tauc J., Grigorovic R., Vancu A. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium // Physica status solidi (b). 1966. V. 15, No. 2. P. 627 – 637.
21. Aspnes D. E., Studna A. A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 ev // Physical review B. 1983. V. 27, No. 2. P. 985.
22. Mart?nez F. L., Del Prado A., Martil I., et al. Thermally induced changes in the optical properties of SiN x: H films deposited by the electron cyclotron resonance plasma method // Journal of applied physics. 1999. V. 86, No. 4. P. 2055 – 2061.
23. Sakr G. B. Optical and electrical properties of GaSe thin films // Materials Science and Engineering B. 2007. V. 138, No. 1. P. 1 – 6.
24. El-Nahass M., Saleh A. B. A., Darwish A. A. A., et al. Optical properties of nanostructured InSe thin films // Optics Communications. 2012. V.285, No. 15. P. 1221 – 1224.
Статью можно приобрести
в электронном виде!
PDF формат
700
DOI: 10.14489/glc.2025.04.pp.022-029
Тип статьи:
Научная статья
Оформить заявку
